聯蕓科技成功推出適配紫光3D NAND顆粒固態硬盤解決方案

2018年3月1日，北京紫光存儲科技有限公司在北京召開了以“芯存志遠，胸懷乾坤”為主題的全系列高性能閃存產品發布會，快速推動3D NAND閃存顆粒市場化進程。聯蕓科技（杭州）有限公司作為首批獲得紫光存儲3D NAND閃存顆粒的固態硬盤控制芯片廠商，在極短時間內完成了NAND顆粒分析、固態硬盤樣片PCB上件、固件移植、樣片完整測試等全部流程，并于2018年4月19日正式對外發布聯蕓科技控制芯片支持紫光3D NAND顆粒固態硬盤解決方案。此次成功推出支持紫光3D NAND顆粒固態硬盤解決方案，進一步詮釋了聯蕓科技在固態硬盤控制芯片及解決方案方面的技術實力。
此次與紫光3DNAND顆粒成功適配的固態硬盤控制芯片是聯蕓科技于2017年8月實現量產投片的MAS090X系列固態硬盤控制芯片。該系列固態硬盤控制芯片，在性能、可靠性、穩定性、糾錯能力、功耗、安全等方面都達到了業界領先水平。主要性能指標可與國際知名品牌對標。

圖1DEMOBOARD通過CDM和AS固態硬盤Benchmark的測試

該系列芯片采用了聯蕓科技具有自主知識產權的獨創技術，包括：

• NAND閃存顆粒自適配技術：可支持所有NAND顆粒原廠的各類產品，涵蓋顆粒類型包含2D和3D的SLC，MLC，TLC及QLC顆粒；
• 高性能DRAM-less架構技術：不帶外置大容量DRAM的方案設計，在性能方面接近有外掛緩存的方案，大幅度提高方案整體的性價比；
• 高可靠性AgileECC糾錯技術：基于高性能LDPC糾錯碼，該技術通過自適應算法獲取NAND顆粒特性，優化NAND糾錯性能，從而提高各種NAND顆粒的可靠性和壽命；
• 高速數據流加解密技術：采用功耗、成本、吞吐量優化的加密引擎設計，在不影響端口性能的前提下，可對全盤數據進行實時加、解密；
• WriteBoost技術：該技術用來彌補小容量盤所固有的性能劣勢，提高小容量固態盤的整體性能；
• 真隨機碼發生器：主控內建基于隨機物理效應的高強度真隨機碼發生器，為數據提供信任根源（RootofTrust）；
• IronLock安全強化技術：硬件輔助的敏感信息管理技術，封堵所有敏感信息外泄通道，從設計機制上關閉所有后門；任何非授權使用者，甚至包括對芯片內部的硬、軟件完全熟悉的設計團隊成員都無法獲取盤上受保護的信息；
• 支持國際標準TCGOpal2.0管理規范；
• 支持MicrosofteDrive。

該系列固態硬盤控制芯片全面支持中國密碼管理局制定的中國密碼算法（SM2，SM3，SM4），并實現高速數據流加解密、密鑰安全以及固件安全應用需求。

目前MAS090X系列固態硬盤控制芯片已經實現大規模量產，并獲得行業主流固態硬盤廠商的采用。

圖2MAS0902控制芯片與紫光3D NAND實物圖

作為全球為數不多實現大規模量產的固態硬盤控制芯片及完整解決方案的廠商，聯蕓科技始終致力于通過技術、產品、服務、管理等的創新，以一流的產品和解決方案，竭誠為客戶提供優質的服務，從而推動全球固態存儲的發展，并助力客戶走向成功。