聯蕓科技在2019美國閃存峰會分享最新軟硬協同SSD控制芯片設計技術

聯蕓科技技術副總裁許偉博士應FMS組委會邀請，于2019年8月8日（美國時間）在Flash Controller Design Options論壇，向全球存儲精英分享聯蕓科技在SSD控制芯片方面的“A HW/FW Co-Designed SSD Controller Architecture to Boost up SSD Performance”核心技術和最新研究成果。 

許偉博士演講現場

隨著SSD固態存儲關鍵接口技術的發展，HOST端接口從SATA3遷移到PCIe Gen4x4其數據處理性能得到了10倍提升，高達64Gb/s;而NAND端接口技術ONFI3.0遷移到ONFI4.1其數據處理性能也得到了3倍提升。此刻制約SSD性能已經不再是接口數據瓶頸，而是SSD控制芯片數據通路設計優化。如何通過軟硬件協同設計，解決SSD控制芯片內部數據通路處理性能，已成為行業亟待解決的重要課題。

傳統解決SSD控制芯片內部數據通路處理性能問題，都是通過增加CPU內核數量，導致更多的CPU分區、增加FW架構的復雜性能，導致效能比非常低。聯蕓科技提出“Cross-Layer Design Methodology”設計理念，通過軟硬件協同設計，減少CPU內核使用數量，從而優化數據流，簡化固件架構，提升SSD控制芯片的效能。通過“Unified HW/FW Data Structure”實現軟硬件數據協同處理和資源共享與管理，從而提升SSD控制芯片數據處理性能；通過“Virtual Buffer Management”管理技術，極具靈活性的提升控制芯片內部BUFFER高效復用；通過“Maxio NPU Technology”技術，實現與NAND顆粒自適配及高性能處理，解決NAND端口的數據處理性能瓶頸。聯蕓科技通過相關技術的實施大幅度提升SSD控制芯片的隨機讀寫性能。  

聯蕓科技MAS090X/MAP100X系列固態硬盤控制芯片，全面采用了軟硬件協同設計技術，推出全球最為優化的SSD控制芯片SOC架構。MAS090X系列SSD控制芯片采用單核ARM968，在性能上做到了行業領先水平，最高性能達到SATA接口SSD控制芯片理論通信極限。而即將量產MAP100X系列控制芯片的數據處理性能也達到了PCIe(NVMe1.3) Gen3X4接口性能極限。聯蕓科技將持續在高端存儲控制芯片及解決方案方面投入資金，為客戶帶來極具競爭力的全系列存儲控制芯片及解決方案，并通過核心技術及產品的持續研發與創新，為全球固態存儲技術及產業的發展做出新的貢獻。